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1,480�~/C/S�i�Ŕ��j

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�ۗ�� �@�C�b�c�N�[���@I-400�@���N�H�i�E�P�[�L�Ȃǂ�(40�E1C/S)

1,560�~/C/S�i�Ŕ��j

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1,750�~/C/S�i�Ŕ��j

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�ۗ�� �@�C�b�c�N�[���@I-200�@���N�H�i�E�P�[�L�Ȃǂ�(80�E1C/S)

1,560�~/C/S�i�Ŕ��j

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13,360�~/���i�Ŕ��j

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�y���������z�@�o�K�X�e��FET-1.0�{�́@�����i800�j(8�܁E1��)

30,400�~/���i�Ŕ��j

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�y���������z�@�o�K�X�e��FET-1.0�{�́@���i800�j(8�܁E1��)

23,680�~/���i�Ŕ��j

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�s�D�z�^�C�v�@�ۗ�� �@�C�b�c�N�[���@I-1000F�@���N�H�i��(16�E1C/S)

1,712�~/C/S�i�Ŕ��j

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�s�D�z�^�C�v�@�ۗ�� �@�C�b�c�N�[���@I-800F�@���N�H�i�Ȃǂ�(20�E1C/S)

1,806�~/C/S�i�Ŕ��j

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�s�D�z�^�C�v�@�ۗ�� �@�C�b�c�N�[���@I-500F�@���N�H�i�Ȃǂ�(30�E1C/S)

1,695�~/C/S�i�Ŕ��j

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�y���������z�@OP-0.8F�@�W�i800�j(16�܁E1��)

12,320�~/���i�Ŕ��j

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�s�D�z�^�C�v�@�ۗ�� �@�C�b�c�N�[���@I-400F�@���N�H�i�Ȃǂ�(40�E1C/S)

1,880�~/C/S�i�Ŕ��j

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�s�D�z�^�C�v�@�ۗ�� �@�C�b�c�N�[���@I-300F�@���N�H�i�Ȃǂ�(60�E1C/S)

2,124�~/C/S�i�Ŕ��j

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�s�D�z�^�C�v�@�ۗ�� �@�C�b�c�N�[���@I-200F�@���N�H�i�Ȃǂ�(80�E1C/S)

2,096�~/C/S�i�Ŕ��j

�N�x�������B�A�C�X�E�P�[�L�A���H�H�i�E���N�H�i�̑N�x�ێ��Ɖ��x�Ǘ��ɌJ��Ԃ��g�p�”\�B
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�y���������z�@�o�K�X�e��FET-0.8�{�́@�����i800�j(8�܁E1��)

29,360�~/���i�Ŕ��j

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�y���������z�@�o�K�X�e��FET-0.8�{�́@���i800�j(8�܁E1��)

22,000�~/���i�Ŕ��j

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�s�D�z�^�C�v�@�ۗ�� �@�C�b�c�N�[���@I-40F�@���N�H�i�Ȃǂ�(350�E1C/S)

2,485�~/C/S�i�Ŕ��j

�N�x�������B�A�C�X�E�P�[�L�A���H�H�i�E���N�H�i�̑N�x�ێ��Ɖ��x�Ǘ��ɌJ��Ԃ��g�p�”\�B
�s�D�z�^�C�v

���i�ڍׂ�

�y���������z�@�o�K�X�e��FET-0.6�{�́@���i800�j(8�܁E1��)

22,640�~/���i�Ŕ��j

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�y���������z�@�o�K�X�e��FET-0.6�{�́@�����i800�j(8�܁E1��)

29,920�~/���i�Ŕ��j

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�y���������z�@OP-0.6F�@�W�i800�j(16�܁E1��)

12,320�~/���i�Ŕ��j

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